发明名称 Method of optical proximity correction for wafer pattern
摘要 <p>본 발명의 웨이퍼패턴에 대한 광학근접보정(OPC) 방법은, 레이아웃 패턴을 웨이퍼에 전사하여 웨이퍼패턴을 형성하는 단계와, 웨이퍼패턴에 대한 이미지데이터를 추출하는 단계와, 이미지데이터와 레이아웃 패턴을 중첩시키는 단계와, 중첩된 이미지 데이터에서 이미지데이터와 레이아웃 패턴의 평균 편차값을 연산하는 단계와, 평균 편차값에 대응되는 지점을 연결하여 평균 컨투어를 생성하는 단계와, 그리고 평균 컨투어를 이용하여 광학근접보정용 모델링을 수행하는 단계를 포함한다.</p>
申请公布号 KR101082102(B1) 申请公布日期 2011.11.10
申请号 KR20090053076 申请日期 2009.06.15
申请人 发明人
分类号 G03F7/20;H01L21/027 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人
主权项
地址