| 摘要 |
1. Фотогальванический элемент, содержащий ! активный слой, выполненный с возможностью выработки электрического сигнала в результате поглощения им света; ! отражательный слой, расположенный таким образом, чтобы отражать свет, проходящий через активный слой; и ! оптический резонатор, расположенный между активным и отражательным слоями и содержащий диэлектрик, причем наличие указанного резонатора увеличивает количество света, поглощаемого активным слоем. ! 2. Элемент по п.1, в котором активный слой содержит полупроводник. ! 3. Элемент по п.2, в котором активный слой содержит р-n-переход или p-i-n-переход. ! 4. Элемент по п.1, в котором отражательный слой имеет коэффициент отражения по меньшей мере 10%. ! 5. Элемент по п.4, в котором отражательный слой имеет коэффициент отражения более 80%. ! 6. Элемент по п.1, в котором отражательный слой содержит металл. ! 7. Элемент по п.6, в котором металл выбран из группы, включающей алюминий, молибден, серебро или золото. ! 8. Элемент по п.1, в котором отражательный слой содержит проводник. ! 9. Элемент по п.1, в котором отражательный слой является частично отражающим таким образом, что указанный элемент является частично оптически пропускающим для излучения некоторых длин волн видимого диапазона. ! 10. Элемент по п.1, в котором отражательный слой является частично отражающим таким образом, что указанный элемент является частично оптически пропускающим для излучения некоторых длин волн инфракрасного или ультрафиолетового диапазона. ! 11. Элемент по п.1, в котором оптический резонатор содержит непроводящий оксид. ! 12. Элемент по п.11, в котором оптический резонатор содержит SiO2. ! 13. Элемент по п.1, в которо |
