| 摘要 |
<p>불휘발성 반도체 기억 장치에 있어서, 기판과, 상기 기판 상에 형성되어, 각각 복수의 절연막 및 전극막이 교대로 적층되고, 적층 방향으로 연장되는 관통 홀이 형성된 적층체와, 상기 관통 홀의 내부에 매설된 반도체 필러와, 상기 전극막과 상기 반도체 필러 사이에 형성된 전하 축적막과, 상기 전극막에 대하여 전위를 공급하는 구동 회로가 형성되어 있다. 그리고 상기 관통 홀의 직경은, 상기 적층 방향에 있어서의 위치에 따라 상이하고, 상기 구동 회로는, 관통하고 있는 상기 관통 홀의 직경이 작은 상기 전극막일수록 상기 반도체 필러와의 사이의 전위차가 작아지는 전위를 공급한다.</p> |
