发明名称 晶片型温度探测传感器及其制造方法
摘要 本发明提供一种能够在晶片面内对晶片更准确地进行温度探测的晶片型温度探测传感器。晶片型温度探测传感器(21)包括:电路基板(22),贴附在温度探测用晶片(16)的上表面(18);温度探测单元(23),搭载在电路基板(22)上,对温度探测用晶片(16)的温度进行探测;晶片数据通信单元(24),搭载在电路基板(22)上,能将温度探测单元(23)所探测到的温度探测用晶片(16)的温度数据,发送到温度探测用晶片(16)的外部;及温度数据检测部(28),设置成嵌入在温度探测用晶片(16)的上表面(18)内的多个不同部位,检测出所嵌入的各位置上的与温度相关的数据。这里,电路基板(22)的线膨胀系数和温度探测用晶片(16)的线膨胀系数等同。
申请公布号 CN102235917A 申请公布日期 2011.11.09
申请号 CN201110075694.1 申请日期 2011.03.23
申请人 东京毅力科创株式会社 发明人 东广大;林圣人;石田寿树
分类号 G01K5/48(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I 主分类号 G01K5/48(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 章蕾
主权项 一种晶片型温度探测传感器,其特征在于包括:温度探测用晶片;电路基板,贴附在所述温度探测用晶片的一面;温度数据检测部,设置在所述温度探测用晶片的一面侧,检测与温度相关的数据;及温度探测单元,搭载在所述电路基板上,根据所述温度数据检测部所检测到的温度数据,探测所述温度探测用晶片的温度;且所述电路基板的线膨胀系数和所述温度探测用晶片的线膨胀系数等同。
地址 日本东京