金属栅极结构及其制造方法

摘要

一种金属栅极结构及其制造方法，此方法是先在半导体基底上形成具有高介电常数的栅介电层，接着在栅介电层上方形成第一含金属层，其中此第一含金属层具有远离栅介电层的表面。然后，对第一含金属层的上述表面进行表面处理，以提高此表面的含氮量。之后，在第一含金属层的上述表面上形成硅层。由于硅层是形成在含氮量高的表面上，因此可避免第一含金属层内的金属材料催化硅层的沉积，进而提升工艺良率。

主权项

一种金属栅极结构的制造方法，包括：于半导体基底上形成栅介电层，其中该栅介电层具有高介电常数；于该栅介电层上方形成第一含金属层，其中该第一含金属层具有远离该栅介电层的表面；对该第一含金属层的该表面进行表面处理，以提高该表面的含氮量；于该第一含金属层的该表面上形成硅层；以及图案化该栅介电层、该第一含金属层以及该硅层，以形成堆叠结构。