发明名称 半导体装置以及半导体装置的制造方法
摘要 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置(1)具有:基板(2),具有导电体(2a);半导体芯片(3),配置在基板(2)上并且与导电体(2a)电连接;管状电极(4),一端部与导电体(2a)电连接;密封树脂(5),对基板(2)、半导体芯片(3)以及电极(4)进行密封。电极(4)以如下方式构成:在利用密封树脂(5)进行密封之前的状态下,能够在基板(2)与半导体芯片(3)层叠的层叠方向上伸缩,电极(4)的另一端部(42)的前端部(42a)从密封树脂(5)中露出,电极(4)具有在另一端部(42)的前端部(42a)开口的中空空间(6)。由此,能够得到小型化的半导体装置及其制造方法。
申请公布号 CN102237332A 申请公布日期 2011.11.09
申请号 CN201110108351.0 申请日期 2011.04.28
申请人 三菱电机株式会社 发明人 山口义弘
分类号 H01L23/49(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/49(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 闫小龙;王忠忠
主权项 一种半导体装置,具有:基板,具有导电体;半导体芯片,配置在所述基板上,并且,与所述导电体电连接;管状电极,一端部与所述导电体电连接;以及密封树脂,密封所述基板、所述半导体芯片以及所述电极,所述电极以如下方式构成:在利用所述密封树脂进行密封之前的状态下,能够在所述基板与所述半导体芯片层叠的层叠方向上伸缩,所述电极的另一端部的前端部从所述密封树脂中露出,所述电极具有在所述另一端部的前端部开口的中空空间。
地址 日本东京都