发明名称 |
单晶锭制造装置 |
摘要 |
本实用新型公开了一种单晶锭制造装置,包括:主体;设置在主体内的坩埚;至少两个主加热器,所述至少两个主加热器沿坩埚的轴向彼此间隔开地设置在坩埚的四周且分别单独控温;位于坩埚之上用于夹持籽晶的籽晶夹头;设置在所述坩埚周围的保温部件;和设在所述坩埚的下方的底部加热器。根据本实用新型实施例的单晶锭制造装置,通过采用至少两个单独控温的主加热器,可大幅度降低熔体中的对流,以有效地改善晶体质量。此外,在晶体生长的后期,熔体液面下降,此时在保持下部主加热器功率不变以保证熔体温度不降的同时,可以大幅度降低上部加热器的功率,从而有效降低了在整个晶体生长过程的功耗并且可以防止因熔体温度过低而出现粘锅情况。 |
申请公布号 |
CN202030860U |
申请公布日期 |
2011.11.09 |
申请号 |
CN201120019103.4 |
申请日期 |
2011.01.20 |
申请人 |
王楚雯 |
发明人 |
李园 |
分类号 |
C30B17/00(2006.01)I |
主分类号 |
C30B17/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 |
代理人 |
黄德海 |
主权项 |
一种单晶锭制造装置,其特征在于,包括:主体;设置在所述主体内的坩埚;至少两个主加热器,所述至少两个主加热器沿所述坩埚的轴向彼此间隔开地设置在所述坩埚的四周,用于熔化容纳在坩埚内的给料,所述至少两个主加热器分别单独控温;籽晶夹头,所述籽晶夹头位于所述坩埚之上,用于夹持籽晶;保温部件,所述保温部件设置在所述坩埚的周围;和底部加热器,所述底部加热器设在所述坩埚的下方且与坩埚的底部之间具有预定距离。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学西北小区6号楼313号 |