射频识别中的混频器

摘要

本实用新型公开了一种射频识别中的混频器，包括尾电流源电路、跨导级电路、开关级电路、谐波抑制电路和负载电路。其为在原有的混频器上，在跨导管的漏极增加谐波抑制的晶体管对，使得跨导管的漏极电压和流过跨导管的电路相对稳定，因此获得较高的增益和较低的噪声系数。

主权项

一种射频识别中的混频器，包括尾电流源电路、跨导级电路、开关级电路和负载电路，其特征在于：所述混频器还包括由第八NMOS晶体管(M8)和第九NMOS晶体管(M9)组成的谐波抑制电路；所述开关级电路包括第四NMOS晶体管(M4)、第五NMOS晶体管(M5)、第六NMOS晶体管(M6)和第七NMOS晶体管(M7)；所述第四NMOS晶体管的栅极连接本征信号的正输入端，所述第五NMOS晶体管和第六NMOS晶体管的栅极互连并接本征信号的负输入端，所述第七NMOS晶体管的栅极接本征信号的正输入端；所述第四NMOS晶体管和第五NMOS晶体管的源极接所述跨导级电路中栅极接射频信号正输入端的那个NMOS晶体管的漏极，所述第六NMOS晶体管和第七NMOS晶体管的源极接所述跨导级电路中栅极接射频信号负输入端的那个NMOS晶体管的漏极，所述第四NMOS晶体管和所述第六NMOS晶体管的漏极互连，所述第五NMOS晶体管和所述第七NMOS晶体管的漏极互连；所述第八NMOS晶体管和第九NMOS晶体管的栅极互连，用于输入第二偏置电压，并通过第三电容(C3)接地；所述第八NMOS晶体管的源极接至所述第四NMOS晶体管和第五NMOS晶体管的源极，漏极接至所述第五NMOS晶体管和所述第七NMOS晶体管的漏极，并连接至负载电路；所述第九NMOS晶体管的源极接至所述第六NMOS晶体管和第七NMOS晶体管的源极，漏极接至所述第四NMOS晶体管和所述第六NMOS晶体管的漏极，并连接至负载电路。