发明名称 A field effect transistor having a stressed contact etch stop layer with reduced conformality
摘要
申请公布号 GB2454135(B) 申请公布日期 2011.11.02
申请号 GB20090002636 申请日期 2007.08.29
申请人 ADVANCED MICRO DEVICES, INC 发明人 KAI FROHBERG;FRANK FEUSTEL;THOMAS WERNER
分类号 H01L21/336;H01L21/8238;H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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