半导体器件刻蚀方法以及半导体器件

摘要

本发明提供了一种半导体器件刻蚀方法以及半导体器件。刻蚀方法包括第一光致抗蚀剂涂覆步骤，用于在刻蚀层上布置光致抗蚀剂；第一图案形成步骤，用于利用第一掩膜对光致抗蚀剂进行刻蚀以形成具有第一图案的光致抗蚀剂层；第一刻蚀步骤，利用具有第一图案的光致抗蚀剂层对刻蚀层进行刻蚀；绝缘材料沉积步骤，用于在经过第一刻蚀步骤之后的半导体器件结构上沉积绝缘材料；第二光致抗蚀剂涂覆步骤，用于在刻蚀层上再次布置光致抗蚀剂；第二图案形成步骤，用于利用第二掩膜对第二光致抗蚀剂涂覆步骤所布置的光致抗蚀剂进行刻蚀以形成具有第二图案的光致抗蚀剂层；第二刻蚀步骤，利用具有第二图案的光致抗蚀剂层对刻蚀层进行刻蚀；其中，第一图案是多个平行的第一条纹，第二图案是多个平行的第二条纹，并且第一条纹与第二条纹相互垂直。

主权项

一种半导体器件刻蚀方法，其特征在于包括：第一光致抗蚀剂涂覆步骤，用于在刻蚀层上布置光致抗蚀剂；第一图案形成步骤，用于利用第一掩膜对光致抗蚀剂进行刻蚀以形成具有第一图案的光致抗蚀剂层；第一刻蚀步骤，利用具有第一图案的光致抗蚀剂层对刻蚀层进行刻蚀；绝缘材料沉积步骤，用于在经过第一刻蚀步骤之后的半导体器件结构上沉积绝缘材料；第二光致抗蚀剂涂覆步骤，用于在刻蚀层上再次布置光致抗蚀剂；第二图案形成步骤，用于利用第二掩膜对第二光致抗蚀剂涂覆步骤所布置的光致抗蚀剂进行刻蚀以形成具有第二图案的光致抗蚀剂层；第二刻蚀步骤，利用具有第二图案的光致抗蚀剂层对刻蚀层进行刻蚀；其中，第一图案是多个平行的第一条纹，第二图案是多个平行的第二条纹，并且第一条纹与第二条纹相互垂直。