Method for manufacturing a silicon epitaxial wafer
摘要
<p>서셉터에 형성된 스폿 페이스상에 놓인 실리콘 단결정 기판을 양면으로부터 가열하면서, 상기 실리콘 단결정 기판의 주표면상에 실리콘 에피택셜층을 기상 성장시키는 기상 성장 장치에 있어서, 상기 스폿 페이스는 상기 실리콘 단결정 기판의 뒷면을 지지하는 외주측 부분과, 상기 외주측 부분의 내측에 상기 외주측 부분보다도 오목하게 들어간 상태로 유지된 내주측 부분을 갖고, 상기 서셉터는 역U자형으로 휘어진 종단면 형상을 갖는다.</p>
