| 发明名称 | 制作快闪存储器元件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制作快闪存储器元件的方法，包括下列步骤。首先，提供基底。接着，在基底上形成堆叠栅结构。随后，在堆叠栅结构上形成第一氧化层。之后，在堆叠栅结构周围形成氮化物间隙壁，其中于形成第一氧化层之后且于形成氮化物间隙壁之前，进行氮原子导入处理。据此，本发明可利用此氮原子导入处理，改善快闪存储器元件的数据保存可靠度。 | ||
| 申请公布号 | CN102222645A | 申请公布日期 | 2011.10.19 |
| 申请号 | CN201010163870.2 | 申请日期 | 2010.04.15 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 黄志仁;陈建宏 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
| 主权项 | 一种制作快闪存储器元件的方法，包括：提供基底；在该基底上形成堆叠栅结构；在该堆叠栅结构上形成第一氧化层；以及在该堆叠栅结构周围形成氮化物间隙壁，其中在形成该第一氧化层之后且在形成该氮化物间隙壁之前，进行氮原子导入处理。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||