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<p>반도체 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 반도체 소자는, 매립절연막을 포함하는 실리콘-온-인슐레이터(SOI) 구조의 반도체 기판 상부의 제1 도전형의 실리콘층 위에 형성되고 서로 이격된 복수의 게이트 패턴들; 이웃하는 게이트 패턴들 사이로 노출된 제1 도전형의 실리콘층의 일부가 제거되어 게이트 패턴들 아래에 각각 형성된 복수의 실리콘 바디부; 실리콘 바디부의 적어도 일측벽에 형성된 제2 도전형의 도펀트를 포함하는 폴리실리콘 스페이서; 및 폴리실리콘 스페이서에 전기적으로 접속된 컨택플러그;를 포함할 수 있다.</p> |
