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<p>비-휘발성 메모리셀의 플로팅 게이트(또는 다른 전하 저장 소자)상에 저장된 겉보기 전하는 인접한 플로팅 게이트들(또는 다른 인접한 전하 저장 소자)에 저장된 전하를 바탕으로한 전계의 커플링으로 인하여 시프트될 수 있다. 이 커플링을 보상하기 위하여, 주어진 메모리셀에 대해 판독 또는 프로그래밍 방법은 인접한 메모리셀의 프로그램 상태를 고려할 수 있다. 보상이 필요한지 결정하기 위하여, 인접한 메모리셀(예를 들어, 인접한 비트라인 또는 다른 위치의)의 프로그램 상태에 대한 정보를 감지하는 단계를 포함하는 방법이 수행될 수 있다.</p> |
