| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，上述半导体装置包括一基板，其中具有多个浅沟槽隔绝区和多个源/漏极区；一栅极堆叠结构，位于上述基板上，且介于上述源/漏极区之间；一第一间隙壁，其具有一第一介电常数，位于上述栅极堆叠结构的一侧壁上，其中该第一间隙壁具有一外侧壁；一第二间隙壁，其具有一第二介电常数，位于上述第一间隙壁的该外侧壁上，其中该第一介电常数小于该第二介电常数。本发明可降低栅极和轻掺杂源/漏极(LDD)区之间的电容耦合效应。 | ||
| 申请公布号 | CN102214693A | 申请公布日期 | 2011.10.12 |
| 申请号 | CN201010260919.6 | 申请日期 | 2010.08.20 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 谢博全;钟汉邠;柯志欣;詹博文;陶宏远 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;陈晨 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：一基板，其中具有多个浅沟槽隔绝区和多个源/漏极区；一栅极堆叠结构，位于该基板上，且介于所述多个源/漏极区之间；一第一间隙壁，其具有一第一介电常数，位于该栅极堆叠结构的一侧壁上，其中该第一间隙壁具有一外侧壁；以及一第二间隙壁，其具有一第二介电常数，位于该第一间隙壁的该外侧壁上，其中该第一介电常数小于该第二介电常数。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||