| 发明名称 | 硅和碳化硅的制造方法以及制造装置 | ||
| 摘要 | 本申请的发明涉及硅和碳化硅的制造方法以及制造装置。本申请的发明涉及将碳化硅和硅石粉碎、洗净之后，以预定的比例将其混合，将其装入坩埚中，由加热装置将其加热使之反应，用硅石将碳化硅氧化，再通过用碳化硅将硅石还原，制造并抽出硅的制造方法和装置。本申请的发明还涉及以加热反应时生成的活性气体为原料，通过气相生长、外延生长形成碳化硅膜，通过将其回收而制造碳化硅的同时制造硅和碳化硅的制造方法和装置。 | ||
| 申请公布号 | CN102211771A | 申请公布日期 | 2011.10.12 |
| 申请号 | CN201110087156.4 | 申请日期 | 2011.04.06 |
| 申请人 | 富田孝司 | 发明人 | 富田孝司 |
| 分类号 | C01B33/023(2006.01)I;C01B31/36(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/023(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;唐瑞庭 |
| 主权项 | 一种硅的制造方法，其特征在于将碳化硅和硅砂(硅石)粉碎、洗净之后，以预定的比例将其混合，将其装入加热用坩埚中，由加热装置将其加热使之反应，用硅砂(硅石)将碳化硅氧化，再通过用碳化硅将硅砂(硅石)还原，制造并抽出硅。 | ||
| 地址 | 日本奈良县 | ||