一种半导体器件的制造方法

摘要

一种半导体器件的制造方法，在形成栅堆叠及其第一侧墙后，进而形成第二侧墙和第三侧墙；而后去除第二侧墙，在第一侧墙与第三侧墙间形成开口。通过在第一侧墙208和第三侧墙212之间形成开口214来限定提升有源区220的形成范围，在开口214内自对准的形成提升有源区220，可以获得更好的提升有源区220的外形，避免无限定方式下造成可能的相邻器件的短路，并且基于这种制造方法，易于实现栅电极204与提升有源区220的等高，也易于实现双应力氮化物工艺，以提高器件的迁移率。

主权项

一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：A.提供半导体衬底；B.在所述半导体衬底上形成栅堆叠，以及在栅堆叠侧壁形成第一侧墙；C.在所述第一侧墙的侧壁形成第二侧墙，以及在第二侧墙的侧壁形成第三侧墙；D.去除所述第二侧墙，以形成开口；E.利用所述开口刻蚀半导体衬底，以形成填充区；F.在所述填充区内形成嵌入有源区；G.在所述开口内形成提升有源区；H.硅化所述器件以形成金属硅化物层。