发明名称 |
功率半导体器件及使用该器件的功率转换系统 |
摘要 |
当用当前可从市场上买到的半导体模块配置多电平转换系统时,导线电感增大,开关时的浪涌电压增高,半导体芯片和转换系统大,且价格高昂。三个或更多个电平的转换器电路的单相通过组合两种类型的功率半导体模块来配置,这两种类型的功率半导体模块包括反并联地连接有二极管的上臂和下臂IGBT之一以及配置双向开关的元件之一。 |
申请公布号 |
CN102214984A |
申请公布日期 |
2011.10.12 |
申请号 |
CN201110051651.X |
申请日期 |
2011.02.22 |
申请人 |
富士电机控股株式会社 |
发明人 |
泷泽聪毅 |
分类号 |
H02M1/00(2007.01)I;H02M7/48(2007.01)I |
主分类号 |
H02M1/00(2007.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
侯颖媖 |
主权项 |
一种应用于具有三个或更多个电压波形电平的多电平转换器电路的功率半导体模块,其特征在于,反并联地连接有二极管的第一IGBT和具有反向阻断电压的第二IGBT容纳于一个封装中,其中所述第二IGBT的发射极连接到所述第一IGBT的发射极,且所述第一IGBT的集电极、所述第二IGBT的集电极、以及所述第一IGBT的发射极与所述第二IGBT的发射极的连接点均为外部端子。 |
地址 |
日本神奈川县 |