发明名称 | 一种单侧硅片湿法腐蚀设备 | ||
摘要 | 本发明公开了一种单侧硅片湿法腐蚀设备,该设备包括供液装置(1)、腐蚀室(2)和余液处理装置(3),其中,供液装置(1)将高温碱性腐蚀液喷到腐蚀室(2)中真空吸盘上旋转的硅片上,对硅片进行反应速率和表面光洁度可控的各向异性湿法腐蚀,同时硅片与腐蚀室(2)中的真空吸盘紧密贴合,将贴合面与腐蚀环境隔离,实现对单侧硅片的保护。本发明提供的单侧硅片湿法腐蚀设备,采用对真空吸盘上旋转的硅片喷淋高温碱性腐蚀液的方式进行单侧湿法腐蚀,利用真空将欲保护侧面与腐蚀环境有效隔离,解决了传统湿法腐蚀工艺中难以对硅片实施长时间单侧保护的问题。 | ||
申请公布号 | CN102212824A | 申请公布日期 | 2011.10.12 |
申请号 | CN201010145227.7 | 申请日期 | 2010.04.09 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 高超群;景玉鹏 |
分类号 | C23F1/08(2006.01)I | 主分类号 | C23F1/08(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
主权项 | 一种单侧硅片湿法腐蚀设备,其特征在于,该设备包括供液装置(1)、腐蚀室(2)和余液处理装置(3),其中,供液装置(1)将高温碱性腐蚀液喷到腐蚀室(2)中真空吸盘上旋转的硅片上,对硅片进行反应速率和表面光洁度可控的各向异性湿法腐蚀,同时硅片与腐蚀室(2)中的真空吸盘紧密贴合,将贴合面与腐蚀环境隔离,实现对单侧硅片的保护。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |