| 发明名称 |
积体电路装置、形成及操作积体电路的方法、形成及操作半导体装置的方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI350579 |
申请公布日期 |
2011.10.11 |
| 申请号 |
TW096143663 |
申请日期 |
2007.11.19 |
| 申请人 |
台灣積體電路製造股份有限公司 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 |
发明人 |
王士纬 |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L27/115 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼;颜锦顺 台北市大安区信义路4段279号3楼 |
| 主权项 |
一种积体电路装置，包括：一基底；一下电极，位于该基底上方，其中该下电极位于该基底上方之最低的金属层之中或其上方；一阻挡层，位于该下电极上方；一电荷陷捕层，位于该阻挡层上方；一绝缘层，位于该电荷陷捕层上方；一控制闸极，位于该绝缘层上方；一穿隧层，位于该控制闸极上方；以及一上电极，位于该穿隧层上。 |
| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
