| 摘要 |
<p>본 발명은 삼원계 화합물 반도체인 질화인듐갈륨(InGaN)의 물질고유의 특성인 스피노달 분해 특성과 고온급속열처리 과정을 이용하여 백색 발광을 하는 질화인듐갈륨 박막을 단일 활성층으로 갖는 백색 발광 다이오드(White Light Emitting Diode: White LED)의 제조방법에 관한 것이다. 사파이어 기판 위에 성장된 n-형 질화갈륨(GaN) 위에 질화인듐갈륨 박막 성장시 성장 조건을 조절하여 자주색에서 파란색 영역에 이르는 발광 특성을 내는 상과 녹색에서 적색영역에 이르는 발광 특성을 내는 상을 형성시킨 후 고온 급속 열처리를 통하여 박막 표면을 열적으로 평탄하게 하고 인듐(In) 함량이 적은 상의 발광 특성을 향상시켜 전체적으로 밝은 백색 발광 특성을 갖는 질화인듐갈륨 단일 활성층을 제조하였다. 본 발명의 발광 다이오드는 백색으로 발광하는 질화인듐갈륨 박막을 단일 활성층으로 하는 단일 칩 상태의 질화물 반도체 백색 발광 다이오드로서 발광이 효율적이고 소자 제조공정이 획기적으로 단축되는 장점이 있다.</p> |
