| 发明名称 | 内嵌晶闸管的PMOS晶体管以及开关电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种内嵌晶闸管的PMOS晶体管以及开关电路，所述PMOS晶体管包括：半导体衬底；形成于半导体衬底表面的栅极；形成于栅极两侧半导体衬底内的源极以及扩散区；形成于扩散区内的漏极以及N型注入区；所述扩散区的掺杂类型与源极以及漏极相同，且掺杂浓度低于所述源极以及漏极；所述N型注入区与漏极电连接，且掺杂浓度高于半导体衬底。本发明所述的开关电路具有较佳的静电保护能力。 | ||
| 申请公布号 | CN102208413A | 申请公布日期 | 2011.10.05 |
| 申请号 | CN201010144072.5 | 申请日期 | 2010.03.31 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 单毅;唐成琼 |
| 分类号 | H01L27/07(2006.01)I;H03K17/687(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/07(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种内嵌晶闸管的PMOS晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；形成于半导体衬底表面的栅极；形成于栅极两侧半导体衬底内的源极以及扩散区；形成于扩散区内的漏极以及N型注入区；所述扩散区的掺杂类型与源极以及漏极相同，且掺杂浓度低于所述源极以及漏极；所述N型注入区与漏极电连接，且掺杂浓度高于半导体衬底。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||