半导体元件形成用金属积层基板的制造方法及半导体元件形成用金属积层基板

摘要

本发明提供一种用来形成金属基板的表面具有高度双轴结晶配向性的半导体元件的磊晶成长膜形成用金属积层基板。所述半导体元件的磊晶成长膜形成用金属积层基板的制造方法，包括：通过溅镀蚀刻等将金属板T1的至少一个表面活化的步骤；将以压下率大于等于90％进行冷延的包含Cu或Cu合金的金属箔T2的至少一个表面活化的步骤；使金属板的活化表面与金属箔的活化表面相对向进行积层，并以例如压下率小于等于10％进行冷延的步骤；通过在大于等于150℃且小于等于1000℃下进行热处理而使金属箔双轴结晶配向的步骤。

主权项

一种半导体元件形成用金属积层基板的制造方法，其特征在于：包括将金属板的至少一个表面活化的步骤；将以压下率大于等于90％进行冷延的包含Cu或Cu合金的金属箔的至少一个表面活化的步骤；使所述金属板的活化表面与所述金属箔的活化表面相对向进行积层并冷延的步骤；以及通过热处理使所述金属箔双轴结晶配向的步骤。