发明名称 |
高效全光谱硅基双结光伏电池 |
摘要 |
本发明公开了一种高效全光谱硅基双结光伏电池。该电池由上至下的顺序依次为:正面银电极,正面TCO导电薄膜,正面p型纳米硅层,i型纳米硅层,正面n型纳米硅层,p型纳米硅层,正面纳米硅缓冲层,n型单晶硅,背面纳米硅缓冲层,背面n型纳米硅层,背面TCO导电薄膜,背面银电极。该结构的电池,底电池具有HIT光伏电池的部分优点,顶电池具有纳米硅薄膜光伏电池的特征。采用本结构的光伏电池结特性好,开路电压高,同时对称性电池结构,可以使用来自地面的反射光,能获得高的光电转化效率。 |
申请公布号 |
CN102208478A |
申请公布日期 |
2011.10.05 |
申请号 |
CN201110132377.9 |
申请日期 |
2011.05.20 |
申请人 |
西安交通大学 |
发明人 |
王鹤;杨宏;帅争峰 |
分类号 |
H01L31/078(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/078(2006.01)I |
代理机构 |
西安通大专利代理有限责任公司 61200 |
代理人 |
陆万寿 |
主权项 |
一种高效全光谱硅基双结光伏电池,其特征在于:电池的顺序从上至下依次设置为:正面银电极、正面TCO导电薄膜、正面p型纳米硅层、i型纳米硅层、正面n型纳米硅层、p型纳米硅层、正面纳米硅缓冲层、n型单晶硅、背面纳米硅缓冲层、背面n型纳米硅层、背面TCO导电薄膜和背面银电极。 |
地址 |
710049 陕西省西安市咸宁西路28号 |