白光LED芯片制作工艺及其产品

摘要

本发明适用于LED生产领域，提供了一种白光LED芯片制作工艺，包括如下步骤：步骤一，将基板切割成合适的尺寸，步骤二，制作出透明电极层；步骤三，制作出P电极和N电极；步骤四，采用激光切割出切割道；步骤五，在所述裸芯片上增设荧光粉硅胶层；步骤六，在所述荧光粉硅胶层上涂布光阻层；步骤七，除去所述P电极和N电极上的光阻层；步骤八，除去所述P电极和N电极上的荧光粉硅胶层；步骤九，除去所述荧光粉硅胶层上的光阻层。本发明提供的工艺，通过在芯片的表层直接涂布荧光粉，使其形成一荧光粉硅胶层，大大提高芯片的出光率，并可大大节省原有工序和工艺成本。本发明还提供了由上述工艺制作的一种白光LED芯片，其白光发光效率高，且发光均匀。

主权项

一种白光LED芯片制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，将依次层叠设有蓝宝石衬底、N‑GaN层、LED发光层、P‑GaN层的基板切割成合适的尺寸；步骤二，在切割后的基板上制作出透明电极层，并采用蚀刻法将P‑GaN层露出，以便制作N电极；步骤三，在透明电极层上制作出P电极，在N‑GaN层上制作出N电极；步骤四，采用激光切割出切割道，切割深度至基板的蓝宝石衬底；步骤五，在芯片上增设一可以将蓝光激发为白光的荧光粉硅胶层；步骤六，在所述荧光粉硅胶层上涂布光阻层；步骤七，通过显影、刻蚀工艺除去所述P电极和N电极上的光阻层；步骤八，除去所述P电极和N电极上的荧光粉硅胶层；步骤九，除去所述荧光粉硅胶层上的光阻层，得到白光LED芯片。