发明名称 低温Yb:YAG再生放大器
摘要 一种低温Yb:YAG再生放大器,构成包括脉冲信号光耦合系统、隔离系统、光学再生放大腔、电光开关系统、低温真空系统和泵浦系统六个部分,选用片状Yb:YAG晶体作为增益介质,采取半导体激光器背向端面泵浦方式,并利用液氮对Yb:YAG晶体进行温度可控的制冷,最终使脉冲信号光获得高放大倍数的增益效果,并且放大后的输出能量稳定性也得到了改善。本发明可实现较高重复频率、高稳定性、高增益、高光束质量的脉冲信号的放大。
申请公布号 CN102201644A 申请公布日期 2011.09.28
申请号 CN201110086241.9 申请日期 2011.04.07
申请人 中国科学院上海光学精密机械研究所 发明人 李响;王江峰;李学春;卢兴华;黄大杰;于国浩
分类号 H01S3/16(2006.01)I;H01S3/042(2006.01)I 主分类号 H01S3/16(2006.01)I
代理机构 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人 张泽纯
主权项 一种低温Yb:YAG再生放大器,特征在于其构成包括脉冲信号光耦合系统、隔离系统、光学再生放大腔、电光开关系统(10)、低温真空系统(13)以及泵浦系统六个部分,具体结构如下:包括光纤激光器(1),沿该光纤激光器(1)输出的信号光的方向,依次是第一透镜(2)、第一偏振片(3)、第一隔离器(4)、第二透镜(5)、第二偏振片(6)、第二隔离器(7)、反射镜(8)和第三偏振片(11),所述的光学再生放大腔由平面反射镜(9)、第三透镜(12)、Yb:YAG晶体(132)及其后端面镀1030nm增反940nm增透双色膜层构成,在该光学再生放大腔中所述的平面反射镜(9)和第三透镜(12)之间设置所述的电光开关系统(10)和所述的第三偏振片(11);所述的Yb:YAG晶体(132)放置在所述的低温真空系统(13)的低温真空盒(131)内,所述的泵浦系统(14)位于所述的Yb:YAG晶体(132)的后端面外,对所述的Yb:YAG晶体(132)进行端面泵浦。
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