发明名称 |
晶片检测系统及方法 |
摘要 |
本发明为一种晶片检测系统及方法。该晶片检测系统,包括:处理贮槽;图像检测装置,装配于处理贮槽的旁边,用以取得该处理贮槽内的第一图像数据;以及图像处理装置,具有原始图像储存数据,且连接至该图像检测装置以接收该第一图像数据;其中该原始图像储存数据及第一图像数据经该图像处理装置比较后,当两者的差异在设定范围内时决定该处理贮槽的状况为第一一致状态,或当两者的差异在设定范围外时,决定该处理贮槽的状况为第一不一致状态。本发明提供了能更有效检测晶片破损或错位的装置,且该装置能运用于各式贮槽。除此之外,还能检测贮槽底部的晶片碎片,以及移动装置上晶片间错位或破损的晶片。 |
申请公布号 |
CN101013138B |
申请公布日期 |
2011.09.28 |
申请号 |
CN200610095871.1 |
申请日期 |
2006.06.30 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
刘大威 |
分类号 |
G01N35/00(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
G01N35/00(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
陈晨 |
主权项 |
一种湿式化学蚀刻的晶片检测系统,包括:湿式化学蚀刻清洗设备的处理贮槽,该处理贮槽包括处理液体用以浸润晶片;图像检测装置,装配于处理贮槽的邻近处,用以取得该处理贮槽内的第一图像数据;以及图像处理装置,具有原始图像储存数据,且连接至该图像检测装置以接收该第一图像数据;其中该原始图像储存数据及第一图像数据经该图像处理装置比较后,当两者的差异在设定范围内时决定该湿式化学蚀刻清洗设备的处理贮槽的状况为第一一致状态,或当两者的差异在设定范围外时,决定该湿式化学蚀刻清洗设备的处理贮槽的状况为第一不一致状态;其中该原始图像储存数据存储了不含晶片的该处理贮槽与该处理液的图像;该第一一致状态为不含破损晶片的该处理贮槽的状态;以及该第一不一致状态为含有破损晶片的该处理贮槽的状态。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |