| 发明名称 | 电阻式随机存取存储器单元 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种电阻式随机存取存储器单元，包括：衬底；在衬底上依次形成的掩埋氧化层和外延层；在所述外延层上依次形成的栅极介电层和栅极；在所述栅极两侧的所述外延层中形成的源区和漏区；其中所述栅极介电层的材料是铪氧化物。根据本发明的RRAM，具有高k和金属栅极的逻辑晶体管可以很容易地转化为作为非易失性RRAM执行。这使得系统级芯片的逻辑和存储器设计，很容易无缝连接地制造在一起，成为突破。本发明描述了如何将逻辑晶体管转化为RRAM单元，优选使用铪氧化物基高K电介质以利于开关，和组织为阵列和存储器操作。 | ||
| 申请公布号 | CN102201429A | 申请公布日期 | 2011.09.28 |
| 申请号 | CN201010131793.2 | 申请日期 | 2010.03.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 季明华;林殷茵 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种电阻式随机存取存储器单元，包括：衬底；在衬底上依次形成的掩埋氧化层和外延层；在所述外延层上依次形成的栅极介电层和栅极；在所述栅极两侧的所述外延层中形成的源区和漏区；其中所述栅极介电层的材料是铪氧化物。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||