一种双层氮化硅减反膜的制作方法

摘要

本发明公开了一种双层氮化硅减反膜的制作方法，按如下步骤进行A将经过清洗制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅用管式PECVD沉积，得到高折射率氮化硅减反膜；B得到高折射率氮化硅减反膜后，关闭硅烷流量1-2分钟，同时保持氨气流量和射频功率不变；C将B步骤完成后得到的减反膜用管式PECVD再次沉积，得到双层氮化硅减反膜。在晶体硅太阳能电池上面镀双层氮化硅减反膜，能够提高太阳能电池片表面的钝化效果，并且降低电池片的反射率，对电池的短路电流和开压都有一定的好处，从而提高太阳能电池的转化效率。

主权项

一种双层氮化硅减反膜的制作方法，其特征在于按如下步骤依次执行：A将经过清洗制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅用管式PECVD沉积，得到高折射率氮化硅减反膜，PECVD参数设置为：氨气流量3‑4.5slm，硅烷流量700‑850sccm，压强1400‑1700mTorr，射频功率3700‑4000w，开关时间5:30ms，时间100‑200s；B得到高折射率氮化硅减反膜后，关闭硅烷流量1‑2分钟，同时保持氨气流量和射频功率不变；C将B步骤完成后得到的减反膜用管式PECVD再次沉积，得到双层氮化硅减反膜，PECVD参数设置为：氨气流量4‑5.5slm，硅烷流量200‑350sccm，压强1300‑1500mTorr，射频功率3700‑4000w，开关时间5:30ms，时间380‑450s。