| 发明名称 | 非易失性存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种非易失性存储器，包括基底、多个掺杂区、第一栅极、导体层、第一接触窗插塞以及介电层。掺杂区配置于该基底中。第一栅极配置于相邻两掺杂区之间的基底上。导体层配置于第一栅极的上方。第一接触窗插塞配置于第一栅极与导体层之间。介电层配置于第一栅极与第一接触窗插塞之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101593753B | 申请公布日期 | 2011.09.28 |
| 申请号 | CN200810038357.3 | 申请日期 | 2008.05.30 |
| 申请人 | 和舰科技(苏州)有限公司 | 发明人 | 李秋德 |
| 分类号 | H01L27/112(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/8246(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/112(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器，包括：一基底；多个掺杂区，配置于该基底中；一第一栅极，配置于相邻两掺杂区之间的该基底上；一第二栅极，配置于相邻两掺杂区之间的该基底上，其中该第二栅极与该第一栅极为分隔配置；一导体层，配置于该第一栅极与该第二栅极的上方；一第一接触窗插塞，配置于该第一栅极与该导体层之间；一介电层，配置于该第一栅极与该第一接触窗插塞之间；一第二接触窗插塞，配置于该第二栅极与该导体层之间；以及一第一金属硅化物，配置于该第二栅极与该第二接触窗插塞之间。 | ||
| 地址 | 215025 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号 | ||