发明名称 |
发光器件、发光器件封装以及照明系统 |
摘要 |
本发明公开了发光器件、发光器件封装以及照明系统。发光器件包括:衬底;发光结构,该发光结构包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层,其形成在衬底上使得向上暴露第一导电半导体层的一部分;在第二导电半导体层上的肖特基接触区域;在第二导电半导体层上的第二电极;以及在暴露的第一导电半导体层上的第一电极,其中当肖特基接触区域靠近台面边缘区域时,肖特基接触区域之间的距离变窄。 |
申请公布号 |
CN102201509A |
申请公布日期 |
2011.09.28 |
申请号 |
CN201110043109.X |
申请日期 |
2011.02.21 |
申请人 |
LG伊诺特有限公司 |
发明人 |
黃盛珉 |
分类号 |
H01L33/14(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/14(2010.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
夏凯;谢丽娜 |
主权项 |
一种发光器件,包括:衬底;发光结构,所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层,所述第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层被形成在所述衬底上使得向上暴露所述第一导电半导体层的一部分;肖特基接触区域,所述肖特基接触区域在所述第二导电半导体层上;第二电极,所述第二电极在所述第二导电半导体层上;以及第一电极,所述第一电极在暴露的第一导电半导体层上,其中当所述肖特基接触区域靠近台面边缘区域时,所述肖特基接触区域之间的距离变窄。 |
地址 |
韩国首尔 |