聚偏二氟乙烯薄膜的改性方法

摘要

本发明公开了一种聚偏二氟乙烯薄膜的改性方法，用于解决现有的紫外光辐射改性聚偏二氟乙烯薄膜方法所得到的聚偏二氟乙烯薄膜结晶度差的技术问题。技术方案是采用173nm的UVb灯，调节电压至3～9KV，将紫外光源辐照度控制在20～80mv/cm2的范围，辐照5～15min，得到了紫外光改性的聚偏二氟乙烯薄膜。由于采用173nm的UVb灯，在40mv/cm2辐照强度下辐照10min或者15min，得到了晶粒尺寸更大、结晶度更好的PVDF薄膜。

主权项

一种聚偏二氟乙烯薄膜的改性方法，其特征在于包括下述步骤：(a)将聚偏二氟乙烯树脂粉末按质量比10～30％的配比溶解在N，N‑二甲基甲酰胺中，在30～60℃下超声处理10～60min，制成聚偏二氟乙烯溶液。(b)聚偏二氟乙烯溶液配制完成后，在0.2～0.5Pa的真空中去气。(c)将所配制的聚偏二氟乙烯溶液滴在干净的硅基片上，静置于水平台上，使聚偏二氟乙烯溶液在张力的作用下流延成膜至硅片的边缘，制成聚偏二氟乙烯薄膜。(d)将聚偏二氟乙烯薄膜经过200～300℃熔融10～30min后，迅速投入到0℃冰水混合物中淬冷，之后在经过120～300℃退火。(e)将经过步骤(d)处理的聚偏二氟乙烯薄膜面向辐射源出光面水平放置，调节电压至3～9KV，将紫外光源辐照度控制在20～80mv/cm2的范围，辐照5～15min。