| 主权项 |
一种背照式感测器，包括：一半导体基材，具有前表面与后表面；以及复数个影像感测元件，位于该半导体基材的前表面，其中至少一影像感测元件包含一传输电晶体和一光感测器，其中该传输电晶体的闸极包含一反射层，其中该传输电晶体位于该光感测器上方。如申请专利范围第1项所述之背照式感测器，其中该反射层位在该光感测器上方，且至少占该光感测器上方面积的5%。如申请专利范围第1项所述之背照式感测器，尚包括：至少有一保护环井位于该半导体基材上，介于该些影像感测元件之间；以及一隔离结构位于至少一该保护环井中。如申请专利范围第1项所述之背照式感测器，其中该反射层包含矽化物。如申请专利范围第1项所述之背照式感测器，其中该反射层的材料系择自于以下族群：矽化镍、矽化钴、矽化钨、矽化钽、矽化钛、矽化铂、矽化铒、矽化钯、Cu、W、Ti、Ta、TiN、TaN、以及前述之组合。如申请专利范围第1项所述之背照式感测器，其中该光感测器包含一光电二极体。如申请专利范围第1项所述之背照式感测器，其中该光感测器包含一针札光电二极体。如申请专利范围第1项所述之背照式感测器，其其中该光感测器用以感测入射到该基材背表面之辐射光，及用以感测来自该反射层的辐射光。如申请专利范围第1项所述之背照式感测器，其中至少一该影像感测元件尚包括一重置电晶体，一源极随耦电晶体和一选择电晶体。如申请专利范围第1项所述之背照式感测器，其中该半导体基材之厚度约介于1 μm－5 μm之间。一种背照式感测器，包括：一基材；一传输闸极形成于该基材上，且包含一光学反射材料；以及一光电流产生区形成于该传输闸极下之基材，其中该传输闸极至少位在该光电流产生区至少一部分面积的上方。如申请专利范围第11项所述之背照式感测器，其中该传输闸极至少占该光电流产生区上方面积的25%。如申请专利范围第11项所述之背照式感测器，其中该传输闸极至少占该光电流产生区上方面积的50%。如申请专利范围第11项所述之背照式感测器，尚包括一浮动扩散区形成于该基材上方，与该传输闸极相邻，并位于该光电流产生区之相对侧。如申请专利范围第11项所述之背照式感测器，尚包括：一布植区于该光电流产生区上方，紧邻于该闸极，其中该布植区有第一导电类型，且该光电流产生区具有第二导电类型，其中该基材具第一导电类型。如申请专利范围第11项所述之背照式感测器，尚包括一针札光电二极体，其包括该光电流产生区。一种背照式感测器，包括：一基材，包括一第一表面和一第二表面；一光感测器，邻近于该基材的第二表面；以及一电晶体，包括一光学反射层形成于该基材第二表面上，配置于该光感测器上方，其中该光反射层用于将从该基材第一表面入射的辐射光反射至该光感测器。如申请专利范围第17项所述之背照式感测器，其中该电晶体是一传输电晶体，且该传输电晶体之闸极包括该光学反射层。如申请专利范围第17项所述之背照式感测器，其中该辐射光在被该光反射层反射前，入射到该基材第一表面并穿越该光感测器。 |
