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一种在低介电系数介电层上形成防反射性盖层之方法，包括：在低介电系数材料所组成之低介电系数介电层上形成包含复数个层之层堆叠，包括：于该低介电系数介电层上形成二氧化矽层；于形成该二氧化矽层后以原位置(in situ)形成富矽氮氧化物层，藉此调整该层堆叠的至少一种光学性质而减少来自该低介电系数介电层的背反射；于该富矽氮氧化物层上形成光阻遮罩；用该光阻遮罩图样化该介电层以于该介电层内形成凹槽；以金属充填该凹槽；藉由化学机械抛光法移除过量的金属和该富矽氮氧化物层；以及在化学机械抛光过程中将该二氧化矽层的厚度减少至约5至20奈米的厚度。如申请专利范围第1项之方法，其中自矽烷沈积该二氧化矽层。如申请专利范围第1项之方法，其中在形成该二氧化矽层之后藉改变沈积气体而形成该富矽氮氧化物层。如申请专利范围第1项之方法，其中形成于该介电层上之该二氧化矽层的厚度为在约20至120奈米的范围内。如申请专利范围第1项之方法，其中该富矽氮氧化物层的厚度为在约30至90奈米的范围内。如申请专利范围第1项之方法，其中藉由改变该富矽氮氧化物层内的矽含量而调整该光学性质。如申请专利范围第6项之方法，其中藉由调整沈积气体内之矽烷/氧化氮(N2O)比例而改变该矽含量。如申请专利范围第1项之方法，其中，形成该层堆叠系进一步包括在该富矽氮氧化物层的表面区域以原位置形成低氮保护层。如申请专利范围第8项之方法，其中藉由暴露于氧化氮(N2O)电浆环境下而形成该保护层。如申请专利范围第9项之方法，其中在沈积该富矽氮氧化物层的过程中藉由中断所用之矽烷供应而建立该氧化氮(N2O)电浆环境。如申请专利范围第8项之方法，其中该保护层的厚度为在约1至5奈米的范围内。一种在低介电系数介电材料内形成金属区的方法，该方法包括下列步骤：在包含该低介电系数介电材料之层上于电浆环境中沈积包含复数个层之以二氧化矽为基础的层堆叠，同时控制该以二氧化矽为基础之层堆叠的光学性质；藉由光微影法形成凹槽部分，其中该层堆叠减少特定波长之背反射；以金属充填该凹槽部分；以及藉由化学机械抛光法移除过量金属及部分之该层堆叠。如申请专利范围第12项之方法，其中该以二氧化矽为基础之层堆叠系至少部分沈积自矽烷。如申请专利范围第12项之方法，其中在形成该以二氧化矽为基础之层堆叠的过程中藉由改变沈积气体而于该层堆叠内形成富矽氮氧化物层。如申请专利范围第12项之方法，其中该层堆叠包含形成于该介电层上之二氧化矽层，该二氧化矽层具有约20至120奈米范围内的厚度。如申请专利范围第14项之方法，其中该富矽氮氧化物层的厚度为在约30至90奈米的范围内。如申请专利范围第12项之方法，其中藉由改变该富矽氮氧化物层内的矽含量而调整该光学性质。如申请专利范围第17项之方法，其中藉由调整沈积气体内之矽烷/氧化氮(N2O)比例而改变该矽含量。如申请专利范围第12项之方法，进一步包括在该以二氧化矽为基础之层堆叠的表面区域形成低氮保护层。如申请专利范围第19项之方法，其中藉由暴露于氧化氮(N2O)电浆环境下而形成该保护层。如申请专利范围第20项之方法，其中在沈积富矽氮氧化物层的过程中藉由中断所用之矽烷供应而建立该氧化氮(N2O)电浆环境。如申请专利范围第19项之方法，其中该保护层的厚度为在约1至5奈米的范围内。如申请专利范围第20项之方法，其中藉由化学机械抛光制程移除至少该保护层和该富矽氮氧化物层。如申请专利范围第23项之方法，进一步包括在该化学机械抛光制程的过程中将该以二氧化矽为基础之层堆叠的厚度减少至约5至20奈米的厚度。如申请专利范围第24项之方法，其中该减少厚度之以二氧化矽为基础之层堆叠系由二氧化矽组成。 |
