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一种垂直磁记录介质，其包括非磁性基材及依次形成于该非磁性基材上之软磁材料层、含氧中间层及垂直磁记录层；该垂直磁记录层中包括复数垂直铁磁晶粒及分散于该复数相间隔的垂直铁磁晶粒边界之间之类钻碳，该复数垂直铁磁晶粒自身产生之磁场方向与该垂直磁记录层垂直。如申请专利范围第1项所述之垂直磁记录介质，其中该软磁材料层为铁化镍、碳化铁、铁矽铝合金、铁钴硼合金、镍铁铜钼合金、钴锆铌合金及镍铁铌合金中之至少一种。如申请专利范围第1项所述之垂直磁记录介质，其中该软磁材料层厚度为2~200奈米。如申请专利范围第1项所述之垂直磁记录介质，其中该含氧中间层为铬、钴、钌或钽之氧化物。如申请专利范围第1项所述之垂直磁记录介质，其中该含氧中间层的厚度为1~10奈米。如申请专利范围第1项所述之垂直磁记录介质，其中该垂直铁磁晶粒为钴铬铂合金晶粒。如申请专利范围第1项所述之垂直磁记录介质，其中该类钻碳为氮氢掺杂之类钻碳。如申请专利范围第1项所述之垂直磁记录介质，其中该垂直磁记录层厚度为8~25奈米。如申请专利范围第1项所述之垂直磁记录介质，其中该垂直铁磁晶粒沿与垂直磁记录层平行之方向的截面为正六边形。如申请专利范围第9项所述之垂直磁记录介质，其中该正六边形内切圆之直径为5~25奈米。如申请专利范围第9项所述之垂直磁记录介质，其中取垂直铁磁介质中之任一垂直铁磁晶粒，其周围可包括六个分别位于以其为中心之正六边形之六个顶点上的垂直铁磁晶粒。如申请专利范围第1项所述之垂直磁记录介质，其中相邻之两垂直铁磁晶粒之间间隔为1~5奈米。一种垂直磁记录介质之制备方法，其包括以下步骤：提供非磁性基材；在该非磁性基材上形成软磁材料层；在该软磁材料层上形成含氧中间层；采用碳质靶材及铁磁材质靶材于该含氧中间层上混合溅镀垂直磁记录层，该垂直磁记录层中包括复数相间隔的垂直铁磁晶粒及分散于该复数垂直铁磁晶粒边界之间之类钻碳。如申请专利范围第13项所述之垂直磁记录介质之制备方法，其中形成软磁材料层时采用直流磁控溅镀法，所用之靶材可为铁化镍、碳化铁、铁矽铝合金、铁钴硼合金、镍铁铜钼合金、钴锆铌合金及镍铁铌合金中之至少一种。如申请专利范围第13项所述之垂直磁记录介质之制备方法，其中形成含氧中间层时采用直流磁控溅镀法，所用之靶材为铬、钴、钌或钽的氧化物。如申请专利范围第13项所述之垂直磁记录介质之制备方法，其中混合溅镀垂直磁记录层时采用直流磁控溅镀法或射频磁控溅镀法，该碳质靶材为石墨，该垂直铁磁材质靶材为钴铬铂合金。 |
