| 主权项 |
一种散热元件，设置于一发热元件之一表面上，该散热元件包含：一第一散热构件，包含：一第一固定区域，位于该第一散热构件之一端，并且该第一固定区域选择性地固定于该发热元件之该表面上；一第二固定区域，位于该第一散热构件上相对于该第一固定区域之另一端，并且该第二固定区域选择性地固定于该发热元件之该表面上；以及一自由区域；其中，当该散热元件接受该发热元件之热量时，该散热元件选择性地产生翘曲形变，致使该自由区域离开该发热元件，该发热元件设置于一支撑单元上，该支撑单元包含一多层结构，并且该第一散热构件系延伸自该多层结构中之一层。如申请专利范围第1项所述之散热元件，其中该第一散热构件具有一第一热膨胀系数，并且该散热元件进一步包含：一第二散热构件，贴合该第一散热构件，并且该第二散热构件具有相异于该第一热膨胀系数之一第二热膨胀系数；其中，当该散热元件接受该发热元件之热量时，该散热元件能根据该第一热膨胀系数以及该第二热膨胀系数之差异选择性地产生翘曲形变。如申请专利范围第2项所述之散热元件，其中该第一散热构件以及该第二散热构件系以导热材料制成。如申请专利范围第1项所述之散热元件，其中当该发热元件之温度高于一阀值温度时，该散热元件产生翘曲形变。一种晶片，包含：一晶片散热元件，设置于该晶片之一表面上，该晶片散热元件包含：一第一散热构件，具有一第一固定区域、一第二固定区域以及一自由区域，该第一固定区域系位于该第一散热构件之一端并且选择性地固定于该晶片之该表面上，该第二固定区域系位于该第一散热构件上相对于该第一固定区域之另一端并且选择性地固定于该晶片之该表面上；其中，当该晶片散热元件接受该晶片之热量时，该晶片散热元件选择性地产生翘曲形变，致使该自由区域离开该晶片，该晶片设置于一支撑单元上，该支撑单元包含一多层结构，并且该第一散热构件系延伸自该多层结构中之一层。如申请专利范围第5项所述之晶片，其中该第一散热构件具有一第一热膨胀系数，并且该晶片散热元件进一步包含：一第二散热构件，贴合该第一散热构件，并且该第二散热构件具有相异于该第一热膨胀系数之一第二热膨胀系数；其中，当该晶片散热元件接受该晶片之热量时，该晶片散热元件能根据该第一热膨胀系数以及该第二热膨胀系数之差异选择性地产生翘曲形变。如申请专利范围第6项所述之晶片，其中该第一散热构件以及该第二散热构件系以导热材料制成。如申请专利范围第5项所述之晶片，其中当该晶片之温度高于一阀值温度时，该晶片散热元件产生翘曲形变。如申请专利范围第5项所述之晶片，其中该晶片包含一覆晶薄膜封装结构。一种晶片散热方法，包含下列步骤：制备一第一散热构件，该第一散热构件具有一第一固定区域、一第二固定区域以及一自由区域，该第一固定区域系位于该第一散热构件之一端，并且该第二固定区域系位于该第一散热构件上相对于该第一固定区域之另一端；以及将该第一散热构件之该第一固定区域选择性地固定于一晶片之一表面上，并且将该第二固定区域选择性地固定于该晶片之该表面上；其中，当该第一散热构件接受该晶片之热量时，该第一散热构件选择性地产生翘曲形变，致使该自由区域离开该晶片；上述制备该第一散热构件之步骤包含：制备包含一多层结构之一支撑单元，并且设置该晶片于该支撑单元上；以及部份移除该多层结构中之至少一层，致使该多层结构中之该层外露以作为该第一散热构件。如申请专利范围第10项所述之晶片散热方法，其中该第一散热构件具有一第一热膨胀系数，并且该晶片散热方法进一步包含下列步骤：制备一第二散热构件，该第二散热构件具有相异于该第一热膨胀系数之一第二热膨胀系数；以及将该第二散热构件贴合至该第一散热构件以形成一晶片散热元件；其中，当该晶片散热元件接受该晶片之热量时，该晶片散热元件能根据该第一热膨胀系数以及该第二热膨胀系数之差异选择性地产生翘曲形变。如申请专利范围第11项所述之晶片散热方法，其中该第一散热构件以及该第二散热构件系以导热材料制成。如申请专利范围第10项所述之晶片散热方法，其中当该晶片之温度高于一阀值温度时，该晶片散热元件产生该翘曲形变。如申请专利范围第10项所述之晶片散热方法，其中该第一散热构件系延伸自该多层结构中之该层。如申请专利范围第10项所述之晶片散热方法，其中该晶片包含一覆晶薄膜封装结构。 |
