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一种位准移位电路，用来提升一输入讯号之电压位准，其包括：一第一反相器，耦接于该输入讯号，用来依据该输入讯号输出一第一电压讯号：一第一位准调整电路，耦接该第一反相器，用来调整该第一电压讯号之平均电压准位至一第一位准；一第二位准调整电路，耦接该第一反相器，用来提升该第一电压讯号之平均电压准位至一第二位准；一第一电晶体，其包含一闸极以及一源极，该第一电晶体之闸极系耦接于该第一位准调整电路，该第一电晶体之源极系耦接于一第一电源电压；一第二电晶体，其包含一闸极以及一源极，该第二电晶体之闸极系耦接于该第二位准调整电路，该第二电晶体之源极系耦接于一第二电源电压；以及一第二反相器，耦接于该第一电晶体之汲极以及该第二电晶体之汲极。如申请专利范围第1项所述之位准移位电路，其中该第一位准调整电路包含一第三电晶体以及一第四电晶体，该第三电晶体系一P型金氧半半导体元件，且该第四电晶体系一N型金氧半半导体元件。如申请专利范围第1项所述之位准移位电路，其中该第三电晶体之闸极耦接于该第一电压讯号，该第三电晶体之源极耦接于该第一电源电压，该第三电晶体之汲极耦接于该第一电晶体之闸极，该第四电晶体之闸极耦接于该第一电源电压，该第四电晶体之源极耦接于该输入讯号，该第四电晶体之汲极耦接于该第一电晶体之闸极。如申请专利范围第1项所述之位准移位电路，其中该第二位准调整电路包含一第五电晶体以及一第六电晶体，该第五电晶体系一P型金氧半半导体元件，且该第六电晶体系一N型金氧半半导体元件。如申请专利范围第4项所述之位准移位电路，其中该第五电晶体之闸极耦接于该第二电源电压，该第五电晶体之源极耦接于该输入讯号，该第五电晶体之汲极耦接于该第二电晶体之闸极，该第六电晶体之闸极耦接于该第一电压讯号，该第六电晶体之源极耦接于该第二电源电压，该第六电晶体之汲极耦接于该第二电晶体之闸极。如申请专利范围第1项所述之位准移位电路，其另包含一稳压电路，该稳压电路系耦接于该输入讯号以及该第一反相器之间，用来固定该输入讯号之电压位准。如申请专利范围第6项所述之位准移位电路，其中该稳压电路包含一电容、一第一电阻元件以及一第二电阻元件，该第一电阻元件耦接于该第一电源电压以及该第一反相器之间，该第二电阻元件耦接于该第二电源电压以及该第一反相器之间，该电容耦接于该第一反相器以及该输入讯号之间。 |
