发明名称 三元化合物的气相沉积方法
摘要 实施例提供了一种用于在气相沉积工艺如原子层沉积(ALD)或等离子体增强ALD(PE-ALD)期间形成氮化铝钛材料的方法。在一些实施例中,通过将衬底顺次暴露于钛前体和氮等离子体以形成氮化钛层、将氮化钛层暴露于等离子体处理工艺、以及将氮化钛层暴露于铝前体气体同时在其上面沉积铝层,来形成氮化铝钛材料。可重复该工艺多次以沉积多个氮化钛和铝层。随后,可以将衬底退火以由多层形成氮化铝钛材料。在其他实施例中,可以通过将衬底顺次暴露于氮等离子体和包含钛和铝前体的沉积气体,来形成氮化铝钛材料。
申请公布号 CN102197459A 申请公布日期 2011.09.21
申请号 CN200980142960.9 申请日期 2009.10.27
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 赛沙德利·甘古利;斯里尼瓦斯·甘迪科塔;柳尚澔;路易斯·菲利浦·哈基姆
分类号 H01L21/205(2006.01)I 主分类号 H01L21/205(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 徐金国;钟强
主权项 一种用于在衬底表面上形成氮化铝钛材料的方法,包括:在等离子体增强原子层沉积工艺期间,将衬底顺次暴露于钛前体气体和氮等离子体,以在衬底上形成氮化钛层;在处理工艺期间,将所述氮化钛层暴露于等离子体;在气相沉积工艺期间,将所述氮化钛层暴露于铝前体气体,同时在其上面沉积铝层;以及顺次重复所述等离子体增强原子层沉积工艺、处理工艺和气相沉积工艺,以由所述氮化钛层和所述铝层形成氮化铝钛材料。
地址 美国加利福尼亚州