磁存储介质制造方法、磁存储介质、以及信息存储装置

摘要

本发明的目的是提供能够制造磁存储介质的简单制造方法、可以通过该简单制造方法制造的具有高记录密度的磁存储介质以及信息存储装置。通过具有以下步骤的制造方法制造磁盘(10)：成膜步骤(A)，在基板(61)上形成由Co-Cr-Pt合金制成的且具有小于10nm的厚度的磁性膜(62)；以及离子注入步骤(C)，将离子局部地注入除了形成磁性点的多个区域以外的其他区域降低其饱和磁化强度，从而在所述磁性点之间形成饱和磁化强度比所述磁性点的饱和磁化强度小的所述点间分隔体，在磁性点中以磁的方式记录信息。

主权项

一种磁存储介质制造方法，其特征在于，所述磁存储介质制造方法包括以下步骤：磁性膜形成步骤，在基板上用Co‑Cr‑Pt基合金形成厚度小于10nm的磁性膜；以及离子注入步骤，在所述磁性膜上将离子局部地注入到除了预定的保护区域以外的其他区域中。