发明名称 |
低电感功率半导体组件 |
摘要 |
本发明涉及一种低电感功率半导体组件。在此,所使用的半导体开关在主电流方向上被相继布置。 |
申请公布号 |
CN102195458A |
申请公布日期 |
2011.09.21 |
申请号 |
CN201110052054.9 |
申请日期 |
2011.03.04 |
申请人 |
英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 |
R.巴耶雷尔;D.多梅斯 |
分类号 |
H02M1/14(2006.01)I;H02M1/32(2007.01)I;H02M7/483(2007.01)I |
主分类号 |
H02M1/14(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
张涛;李家麟 |
主权项 |
功率半导体组件,所述功率半导体组件具有:至少两个电桥支路(B1,B2,B3),所述电桥支路分别具有至少两个功率开关(B1T-B3T,B1B-B3b),所述功率开关直接或间接地连接到相位输出端(Ph1,Ph2,Ph3)上,其中功率开关(B1T-B3T,B1B-B3b)中的每一个都具有至少两个并联的分别被集成在半导体芯片(1)中的开关元件,其中功率开关(B1T-B3T,B1B-B3b)中的每一个都布置在功率半导体模块中,并且各个功率半导体模块在第一方向上彼此相邻地布置,其中功率开关的半导体芯片(1)在垂直于第一方向走向的第二方向上彼此相邻地布置在相关的功率半导体模块中。 |
地址 |
德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 |