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Método para la fabricación de un dispositivo semiconductor de energía, que comprende las siguientes etapas de fabricación: Se produce una primera capa de óxido (22) se produce en un primer lado principal de un sustrato (1) de un primer tipo de conductividad, se produce una capa de electrodos de compuerta (3, 3') con al menos una abertura (31) en el primer lado principal en la parte superior de la primera capa de óxido (22), Se implanta un primer dopante del primer tipo de conductividad en el sustrato (1) en el primer lado principal utilizando la capa de electrodos de compuerta (3, 3') como una máscara, Se difunde el primer dopante en el substrato (1), se implanta un segundo dopante de un segundo tipo de conductividad en el sustrato (1) en el primer lado principal y Se difunde el segundo dopante en el substrato (1), caracterizado por que después de la difusión del primer dopante en el sustrato (1) y antes de implantar el segundo dopante en el sustrato (1) se elimina parcialmente la primera capa de óxido (22), y por que la capa de electrodos de compuerta (3, 3') se utiliza como una máscara para la implantación del segundo dopante.
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