半导体发光元件阵列和其制造方法

摘要

本发明的目的在于使用MOVPE选择生长法在同一个基片上制造具有多个波长的半导体面发光元件。具体而言，提供一种半导体发光元件阵列，其包括：半导体结晶基片；配置在所述半导体结晶基片的表面的绝缘膜，其中所述绝缘膜被划分为2个以上的区域，并且在所述2个以上的区域的每个区域中分别形成有使所述基片的表面露出的2个以上的开口部；从所述基片的表面通过所述开口部向上方延伸的半导体棒，其在所述延伸方向上层叠n型半导体层和p型半导体层，具有p-n结；和与所述半导体结晶基片连接的第一电极，以及与所述半导体棒的上部连接的第二电极，所述半导体棒自所述基片表面的高度，按所述2个以上的区域的每个区域而不同。

主权项

一种半导体发光元件阵列，其特征在于，包括：半导体结晶基片；配置在所述半导体结晶基片的表面的绝缘膜，其中所述绝缘膜被划分为2个以上的区域，并且在所述2个以上的区域的每个区域中分别形成有使所述基片的表面露出的2个以上的开口部；从所述基片的表面通过所述开口部向上方延伸的半导体棒，其在所述延伸方向上层叠n型半导体层和p型半导体层，具有p‑n结；和与所述半导体结晶基片连接的第一电极，以及与所述半导体棒的上部连接的第二电极，所述半导体棒自所述基片表面的高度，按所述2个以上的区域的每个区域而不同。