发明名称 |
CMOS半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
示例实施例提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)半导体装置和一种制造该CMOS半导体装置的方法。所述CMOS半导体装置可以包括:栅极,在nMOS区域和pMOS区域中;多晶硅覆盖层;金属氮化物层,在多晶硅覆盖层之下;栅极绝缘层,在栅极之下。nMOS区域和pMOS区域的金属氮化物层可以由相同类型的材料形成,并可以具有不同的逸出功。因为金属栅极由相同类型的金属氮化物层形成,所以可以简化工艺,可以增加产量,并可以获得更高性能的CMOS半导体装置。 |
申请公布号 |
CN101257023B |
申请公布日期 |
2011.09.14 |
申请号 |
CN200810080578.7 |
申请日期 |
2008.02.22 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
丁英洙;丁炯硕;许成;白贤锡 |
分类号 |
H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/092(2006.01)I |
代理机构 |
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 |
代理人 |
郭鸿禧;冯敏 |
主权项 |
一种包括nMOS区域和pMOS区域的CMOS半导体装置,所述CMOS半导体装置包括:栅极,在所述nMOS区域和pMOS区域中,包括多晶硅覆盖层和形成在所述多晶硅覆盖层之下的金属氮化物层;栅极绝缘层,在所述栅极中的至少一个栅极之下,其中,所述nMOS区域和pMOS区域的金属氮化物层由相同类型的材料形成,并根据掺杂物密度之间的差异而具有不同的逸出功,所述nMOS区域的金属氮化物层和所述pMOS区域的金属氮化物层具有不同的厚度。 |
地址 |
韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416 |