| 发明名称 | 光电二极管阵列、辐射检测器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种辐射检测器(7)的光电二极管阵列(1)，具有多个结构化设置的光电二极管(2)，为了将光转换为电信号，这些光电二极管(2)分别具有活跃的像素区域(6)，其中，在至少一部分光电二极管(2)的活跃的像素区域(6)上在该光电二极管阵列(1)的为安置闪烁体阵列(3)而设置的面上设有透明氧化物层(5)，该氧化物层(5)具有与该光电二极管(2)相应的折射率。相对于公知的光电二极管阵列氧化物层(5)替代粘合剂。在氧化物层(5)和光电二极管阵列(1)之间的界面上通过均衡折射率使到达的光更少折射或反射。由此使相邻像素(9)之间的光学串扰降低。此外，通过氧化物层(5)光学地可见光电二极管(2)的活跃的像素区域(6)。 | ||
| 申请公布号 | CN102183777A | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
| 申请号 | CN201110009950.7 | 申请日期 | 2011.01.18 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | 迈克尔.米斯;斯蒂芬.沃思 |
| 分类号 | G01T1/20(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | G01T1/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 谢强 |
| 主权项 | 一种用于辐射检测器(7)的光电二极管阵列(1)，具有多个结构化设置的光电二极管(2)，为了将光转换为电信号，这些光电二极管(2)分别具有活跃的像素区域(6)，其中，在至少一部分光电二极管(2)的活跃的像素区域(6)上在该光电二极管阵列(1)的为安置闪烁体阵列(3)而设置的面上设有透明氧化物层(5)，该氧化物层(5)具有与该光电二极管(2)相应的折射率。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||