| 主权项 |
一种记忆体之操作方法，包括：(a)提供一记忆体，该记忆体包括一电荷储存结构、一基板及一闸极，该基板具有一通道区、一源极区及一汲极区，该通道区位于该源极区及该汲极区之间，该电荷储存结构设置于该通道区上，该闸极设置于该电荷储存结构上；(b)注入第一型电荷至该电荷储存结构内，使该记忆体之阀值位准高于一抹除位准；(c)注入第二型电荷至该电荷储存结构内，使该记忆体之阀值位准低于一设定位元位准；以及(d)注入第一型电荷至该电荷储存结构内，使该记忆体之阀值位准趋近于或等于该设定位元位准。如申请专利范围第1项所述之操作方法，其中于该步骤(c)的第二型电荷注入速度大于该步骤(d)的第一型电荷注入速度。如申请专利范围第1项所述之操作方法，其中，于该步骤(d)中，施加于该闸极之偏压值低于该步骤(c)中施加于该闸极之偏压值。如申请专利范围第1项所述之操作方法，其中，于该步骤(c)中，藉由控制施加于该闸极之偏压值及施加时间，使该记忆体之阀值位准低于该设定位元位准，该设定位元位准系为一第一位元位准、一第二位元位准及一第三位元位准三者其中之一，该第三位元位准低于该第二位元位准，该第二位元位准低于该第一位元位准；当该设定位元位准为该第二位元位准时，执行该步骤(c)后之该记忆体之阀值位准系位于该第三位元位准及该第二位元位准之间；当该设定位元位准为该第一位元位准时，执行该步骤(c)后之该记忆体之阀值位准位于该第二位元位准及该第一位元位准之间。如申请专利范围第1项所述之操作方法，其中该步骤(b)系以一双边偏压(dual side bias,DSB)注入、一富勒诺罕(Fowler-Nordheim,FN)注入或一通道热电子(Channel Hot Electron,CHE)注入完成。如申请专利范围第1项所述之操作方法，其中该步骤(b)中施加于该闸极的偏压值的范围位于8V至12V之间，施加于该源极区及该汲极区的偏压值的范围系皆位于4V至6V之间。如申请专利范围第1项所述之操作方法，其中该步骤(b)中施加于该闸极的偏压值的范围位于16V至20V之间，施加于该源极区及该汲极区的偏压值实质上皆为0V。如申请专利范围第1项所述之操作方法，其中该步骤(b)中施加于该闸极的偏压值的范围位于6V至10V之间，施加于该源极区及该汲极区其中之一的偏压值的范围位于5V至7V之间，且施加于该源极区及该汲极区其中之另一的偏压值实质上为0V。如申请专利范围第1项所述之操作方法，其中该步骤(c)系以一DSB注入、一FN注入或一带间热电洞(Band to Band Hot Hole,BBHH)注入完成。如申请专利范围第1项所述之操作方法，其中该步骤(c)中施加于该闸极的偏压值的范围位于-8V至-12V之间，施加于该源极区及该汲极区的偏压值的范围皆位于4V至6V之间。如申请专利范围第1项所述之操作方法，其中该步骤(c)中施加于该闸极的偏压值的范围位于-16V至-20V之间，施加于该源极区及该汲极区的偏压值实质上为0V。如申请专利范围第1项所述之操作方法，其中该步骤(c)中施加于该闸极的偏压值的范围位于-6V至-10V之间，施加于该源极区及该汲极区其中之一的偏压值的范围位于5V至7V之间，且施加于该源极区及该汲极区其中之另一的偏压值实质上为0V。如申请专利范围第1项所述之操作方法，其中该步骤(d)系以一DSB注入、一FN注入或一CHE注入完成。如申请专利范围第1项所述之操作方法，其中该步骤(d)中施加于该闸极的偏压值的范围位于-2V至2V之间，施加于该源极区及该汲极区的偏压值的范围皆位于5V至7V之间。如申请专利范围第1项所述之操作方法，其中该步骤(d)中施加于该闸极的偏压值的范围位于16V至20V之间，施加于该源极区及该汲极区的偏压值实质上为0V。如申请专利范围第1项所述之操作方法，其中该步骤(d)中施加于该闸极的偏压值的范围位于5V至10V之间，施加于该源极区及该汲极区其中之一的偏压值的范围位于5V至7V之间，且施加于该源极区及该汲极区其中之另一的偏压值实质上为0V。如申请专利范围第1项所述之操作方法，其中该步骤(b)之后更包括：验证该记忆体之阀值位准是否高于该抹除位准。如申请专利范围第1项所述之操作方法，其中该步骤(c)之后更包括：验证该记忆体之阀值位准是否低于该设定位元位准。如申请专利范围第1项所述之操作方法，其中该步骤(d)之后更包括：验证该记忆体之阀值位准是否高于或等于该设定位元位准。如申请专利范围第1项所述之操作方法，其中该电荷储存结构包括：一穿隧介电层，设置于该通道区上；一电荷储存层，设置于该穿隧介电层上；以及一阻挡层，设置于该电荷储存层上。如申请专利范围第20项所述之操作方法，其中该穿隧介电层系为一ONO层或一氧化物层。如申请专利范围第21项所述之操作方法，其中该电荷储存层系为一浮动闸极、一氮化物层、一氧化铝层或一奈米晶体层。如申请专利范围第21项所述之操作方法，其中该阻挡层系为一氧化物层。如申请专利范围第1项所述之操作方法，其中第一型电荷为电子，第二型电荷为电洞。一种记忆体之操作方法，包括：(a)提供一记忆体，该记忆体包括一电荷储存结构、一基板及一闸极，该基板具有一通道区、一源极区及一汲极区，该通道区位于该源极区及该汲极区之间，该电荷储存结构设置于该通道区上，该闸极设置于该电荷储存结构上；(b)分别对该闸极、该源极区及该汲极区施加一第一闸极偏压、一第一源极偏压及一第一汲极偏压，使该记忆体之阀值位准高于一抹除位准；(c)分别对该闸极、该源极区及该汲极区施加一第二闸极偏压、一第二源极偏压及一第二汲极偏压，使该记忆体之阀值位准低于一设定位元位准；以及(d)分别对该闸极、该源极区及该汲极区施加一第三闸极偏压、一第三源极偏压及一第三汲极偏压，使该记忆体之阀值位准趋近于或等于该设定位元位准。 |
