| 主权项 |
一种成膜装置，包含：电源；匹配电路；电极，其系经由上述匹配电路并由电源接受电力，藉由上述电力于收容成膜对象之成膜室内部产生电浆；及控制部，其系控制上述匹配电路之阻抗，上述控制部，于上述电源开始对上述电极供给上述电力之第1时刻开始之第1期间将上述匹配电路之阻抗保持一定，于上述第1期间结束由第2时刻开始之第2期间，回应由上述电极之反射波电力并控制上述匹配电路之阻抗；上述电源，于上述第2时刻后之第3时刻停止上述电力之供给，上述控制部，回应上述第3时刻之上述匹配电路之阻抗之结束时阻抗并决定下一期阻抗，且将上述匹配电路之阻抗设定为上述下一期阻抗，上述电源，由上述匹配电路之阻抗设定为上述下一期阻抗之后之第4时刻经由上述匹配电路开始对上述电极供给电力。如请求项1之成膜装置，其中上述控制部，将仅由上述结束时阻抗偏离预先决定之偏移量之阻抗，决定作为上述下一期阻抗。如请求项1之成膜装置，其中上述控制部，回应由外部输入之选择指令并由复数偏移量之中选择一偏移量，且将仅由上述结束时阻抗偏离上述选择之一偏移量之阻抗，决定作为上述下一期阻抗。如请求项1之成膜装置，其中在上述第1期间及上述第2期间，于上述成膜室收容成膜对象，且导入形成于上述成膜对象之膜之原料气体。如请求项1之成膜装置，其中上述控制部，于上述第4时刻开始之第3期间将上述匹配电路之阻抗保持一定，在上述第1期间及上述第2期间，于上述成膜室收容第1成膜对象，且导入形成于上述第1成膜对象之膜之原料气体，在上述第3期间，于上述成膜室收容别于上述第1成膜对象之第2成膜对象，且导入形成于上述第2成膜对象之膜之原料气体。一种成膜装置，包含：电源；匹配电路；电极，其系经由上述匹配电路并由电源接受电力，藉由上述电力于收容成膜对象之成膜室内部产生电浆；及控制部，其系控制上述匹配电路之阻抗，上述控制部，于第2时刻开始之第2期间回应由上述电极之反射波电力并控制上述匹配电路之阻抗，上述电源，于上述第2时刻后之第3时刻停止上述电力之供给，上述控制部，回应上述第3时刻之上述匹配电路之阻抗之结束时阻抗并决定下一期阻抗，且将上述匹配电路之阻抗设定为上述下一期阻抗，上述电源，由上述匹配电路之阻抗设定为上述下一期阻抗之后之第4时刻经由上述匹配电路开始对上述电极供给电力。如请求项6之成膜装置，其中于上述第2期间，于上述成膜室收容第1成膜对象，且导入形成于上述第1成膜对象之膜之原料气体在由上述第4时刻开始之第3期间，于上述成膜室收容别于上述第1成膜对象之第2成膜对象，且导入形成于上述第2成膜对象之膜之原料气体。一种匹配器，包含：输入端子，其系连接于电源；输出端子，其系连接于在成膜室内部产生电浆之电极；匹配电路，其系连接于上述输入端子与上述输出端子之间；及控制部，其用来控制上述匹配电路之阻抗，上述控制部，在由上述输入端子向输出端子之进行波电力超过第1临限值之第1时刻开始之第1期间将上述匹配电路之阻抗保持一定，于上述第1期间结束之第2时刻开始之第2期间，回应由上述输出端子向上述输入端子之反射波电力并控制上述匹配电路之阻抗，且上述控制部，于上述第2时刻后，上述进行波电力由第2临限值降低时，回应上述进行波电力由第2临限值降低之第3时刻之上述匹配电路之阻抗之结束时阻抗并决定下一期阻抗，且将上述匹配电路之阻抗设定为上述下一期阻抗。一种阻抗控制方法，其系成膜装置之用的阻抗控制方法，该成膜装置包含：匹配电路；电极，其系经由上述匹配电路接受电力，藉由上述电力于收容成膜对象之成膜室内部产生电浆，该阻抗控制方法，包含：(A)将匹配电路之阻抗设定为第1阻抗之步骤；(B)于上述(A)步骤之后，经由上述匹配电路开始向电极供给电力之步骤；(C)于自上述电力供给开始之第1时刻起之第1期间将上述阻抗保持一定之步骤；(D)于自上述第1期间结束之第2时刻起之第2期间，回应由上述电极之反射波电力并控制上述阻抗之步骤；(E)于上述第2时刻后之第3时刻停止上述电力之供给；(F)回应上述第3时刻之上述匹配电路之阻抗之结束时阻抗并决定下一期阻抗，且将上述匹配电路之阻抗设定为上述下一期阻抗；及(G)由上述匹配电路之阻抗设定为上述下一期阻抗之后之第4时刻经由上述匹配电路开始对上述电极供给电力。 |
