发明名称 构图纳米导电薄膜的方法
摘要 本发明提供一种构图纳米导电薄膜的方法。更具体地,提供一种构图纳米导电颗粒的方法,该方法包括采用具有低分子量的有机半导体作为粘合剂制备其中分散有纳米导电颗粒的施主基底,及利用该施主基底在受主基底上构图纳米导电颗粒。该方法可以用于制备包括显示器件如OLED和OTFT等各种器件的图案。即使不经过沉积,这种器件也可以通过制备包含湿基纳米导电颗粒和有机半导体的器件而简单和经济地制备。
申请公布号 CN1881642B 申请公布日期 2011.09.07
申请号 CN200610073281.9 申请日期 2006.04.07
申请人 三星移动显示器株式会社 发明人 朴钟辰;金明淑;卢泰用;李晟熏;李相润;郑银贞
分类号 H01L51/00(2006.01)I 主分类号 H01L51/00(2006.01)I
代理机构 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人 余朦;王达佐
主权项 1.一种用于形成纳米导电薄膜的施主基底,该施主基底包括:基底本体;及布置在所述基底本体上传递层,该传递层包括:纳米导电颗粒;及有机半导体,其中所述有机半导体为至少一种选自下列的化合物:其中N-磺酰基被取代的并五苯,及由下面式IV至VII表示的化合物<img file="FFW00000047574500011.GIF" wi="1690" he="1514" />式中R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>各自独立为具有1~40碳的烷基,具有4~40个碳的环烷基,具有1~40个碳的烷氧基,具有6~40个碳的芳基,具有6~40个碳的芳氧基,具有2~40个碳的链烯基,具有7~40个碳的烷基芳基,具有7~40个碳的芳基烷基,具有8~40个碳的芳基链烯基,或者具有2~40个碳的炔基;R<sub>3</sub>和R<sub>4</sub>各自独立为具有4~40个碳的烷基,具有3~40个碳的甲硅烷基,或者具有3~40个碳的甲硅烷氧基;R为选自其N-磺酰基被取代的并五苯,及式IV至VI所示化合物中的化合物;X<sub>1</sub>、X<sub>2</sub>、X<sub>3</sub>和X<sub>4</sub>各自独立为氢或卤原子,但是不全为氢原子。
地址 韩国京畿道