| 发明名称 | 薄膜晶体管形成方法以及薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管形成方法以及薄膜晶体管。所述薄膜晶体管形成方法，在沟道区刻蚀成型后，包括：利用辉光放电装置对含磷气体进行解离，得到等离子体；采用所述等离子体对刻蚀形成的沟道区表面进行等离子体处理。本发明还提供了如下的一种薄膜晶体管：所述薄膜晶体管沟道区的非晶硅中掺杂有磷原子；所述沟道区上方覆盖有沟道保护层。本发明实施例所提供的技术方案，在薄膜晶体管沟道区的非晶硅掺杂注入了磷原子中，所述沟道区中的载流子的数量会明显的提高，因此可以有效的提高薄膜晶体管的开态电流(提高约30％)，进而能够明显的改善TFT-LCD产品的显示品质。 | ||
| 申请公布号 | CN102176413A | 申请公布日期 | 2011.09.07 |
| 申请号 | CN201110074292.X | 申请日期 | 2011.03.25 |
| 申请人 | 信利半导体有限公司 | 发明人 | 郝付泼;谢凡;胡君文;何基强 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管形成方法，其特征在于，在沟道区刻蚀成型后，包括：利用辉光放电装置对含磷气体进行解离，得到等离子体；采用所述等离子体对刻蚀形成的沟道区表面进行等离子体处理。 | ||
| 地址 | 516600 广东省汕尾市城区工业大道信利电子工业城 | ||