| 发明名称 | 光刻胶的涂布方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种光刻胶的涂布方法，包括：提供半导体晶片；在所述半导体晶片的正面喷洒TMAH溶液；在所述半导体晶片的正面涂布光刻胶层。通过本发明提供的光刻胶的涂布方法，能中和半导体晶片正面的酸性，从而避免后续进行光刻胶的曝光显影等工艺后，光刻胶出现底部切角的问题，进一步地，提高了半导体晶片的工艺精度。 | ||
| 申请公布号 | CN102169292A | 申请公布日期 | 2011.08.31 |
| 申请号 | CN201110064194.8 | 申请日期 | 2011.03.17 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 姚树歆;胡红梅 |
| 分类号 | G03F7/16(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种光刻胶的涂布方法，其特征在于，包括：提供半导体晶片；在所述半导体晶片的正面喷洒TMAH溶液；在所述半导体晶片的正面涂布光刻胶层。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 | ||