发明名称 |
多级切换的电阻式随机存取存储器及其操作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种多级切换的金属-氧化物为基础的电阻式随机存取存储器及其操作方法。此处所描述的方法包括施加一系列的调整偏压于一选取金属-氧化物存储元件以改变该选取金属-氧化物存储元件的电阻状态自多个电阻状态的一第一电阻状态至一第二电阻状态。该施加一系列的调整偏压包含施加一第一组的一个或多个脉冲以改变该选取金属-氧化物存储元件的该电阻状态自多个电阻状态的该第一电阻状态至一第三电阻状态,以及施加一第二组的一个或多个脉冲以改变该选取金属-氧化物存储元件的该电阻状态自多个电阻状态的该第三电阻状态至该第二电阻状态。 |
申请公布号 |
CN101577142B |
申请公布日期 |
2011.08.31 |
申请号 |
CN200910137990.2 |
申请日期 |
2009.05.05 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
简维志;陈逸舟;张国彬;赖二琨;谢光宇 |
分类号 |
G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C16/30(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/56(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
一种操作一存储器装置的方法,此存储器装置包含可被编程至多个电阻状态的多个金属‑氧化物存储元件,该方法包括:施加一系列的调整偏压于一选取金属‑氧化物存储元件以改变该选取金属‑氧化物存储元件的电阻状态自多个电阻状态的一第一电阻状态至一第二电阻状态,该施加一系列的调整偏压包含:施加一第一组的一个或多个脉冲以改变该选取金属‑氧化物存储元件的该电阻状态自多个电阻状态的该第一电阻状态至一第三电阻状态;以及施加一第二组的一个或多个脉冲以改变该选取金属‑氧化物存储元件的该电阻状态自多个电阻状态的该第三电阻状态至该第二电阻状态;其中,该第一组的一个或多个脉冲的至少一个脉冲具有跨越该选取金属‑氧化物存储元件的一电压极性,其与该第二组的一个或多个脉冲的至少一个脉冲的电压极性相反。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 |